化学试剂、生物试剂、实验试剂、就上找试剂网

无序堆叠的界面效应引起TaS2薄膜体系的超导增强效应

来源: X-MOL 2017-08-01 15:20:00

在发现LaAlO3/SrTiO3界面具有超导电性质后（Science., 2007, 317, 1196），界面超导的研究引起了研究工作者的关注。随后，人们在绝缘体La2CuO4/金属相La2-xSrxCuO4界面也发现了高温超导增强特性（Nature, 2008, 455, 782）。研究结果表明，超导增强归功于界面处电荷的转移与重新分布。后来，研究人员发现SrTiO3单晶/单层FeSe体系的超导转变温度为Tc=65 K（Nature Materials, 2013, 12, 605），远高于FeSe块体相的Tc=8 K，同样的界面效应在其中起到决定性作用。随着研究的深入，界面超导已经成为一类重要的超导体材料。

过渡金属二硫族化合物MQ2（M=Ti, Nb, Ta, Mo, W等）的晶体结构由二维[MQ2]层组成，层间存在弱作用力。该材料是一种准二维的电子系统，在低温下具有丰富的物理特性。其中，2H-TaS2是一种典型的电荷密度波（CDW）与超导共存的TMD材料，通过插层或高压的方式可以抑制CDW转变，增强2H-TaS2的超导特性。然而界面调控2H-TaS2的电子结构却尚无报道。中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海微系统和信息技术研究所、北京大学等共同合作研究，通过化学剥离得到单层TaS2纳米片以及纳米片抽滤自组装重新堆叠成TaS2薄膜，HAADF-STEM微观电镜观察表明，层与层之间存在堆垛扭曲（图1c），选区电子衍射进一步证实了扭曲的结构特点（图1d），因此构筑的重新堆叠的TaS2薄膜中存在丰富的同质界面。

材料学

复制链接

分享至微信

分享至微博

1.凡本网注明“来源：找试剂”的所有文字、图片、音频和视频文件，版权均为找试剂所有。如需转载请与4008-955-951联系。任何媒体、网站或个人转载使用时须注明来源“找试剂”，违反者本网将追究法律责任。 2.本网转载并注明其他来源的稿件，均来自互联网或业内投稿人士，版权属于原版权人。转载请保留稿件来源及作者，禁止擅自篡改违者自负版权法律责任。 3.本网评论版权中各网友的评论只代表网友个人观点，不代表本站的观点或立场。

我要提问